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MT48LC8M32B2TG集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MT48LC8M32B2TG |
| 參數(shù)屬性 | MT48LC8M32B2TG 封裝/外殼為86-TFSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II |
| 功能描述 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 封裝外殼 | 86-TFSOP（0.400"，10.16mm 寬） |
| 文件大小 |
1.20413 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
55 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Micron Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
Micron【鎂光】 |
| 中文名稱 | 美國鎂光科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-26 12:20:00 |
| 人工找貨 | MT48LC8M32B2TG價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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MT48LC8M32B2TG規(guī)格書詳情
GENERAL DESCRIPTION
The 256Mb SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 268,435,456-bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Each of the 67,108,864-bit banks is organized as 4,096 rows by 512 columns by 32 bits.
FEATURES
? PC100 functionality
? Fully synchronous; all signals registered on positive edge of system clock
? Internal pipelined operation; column address can be changed every clock cycle
? Internal banks for hiding row access/precharge
? Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8, or full page
? Auto Precharge, includes CONCURRENT AUTO PRECHARGE, and Auto Refresh Modes
? Self Refresh Mode
? 64ms, 4,096-cycle refresh (15.6μs/row)
? LVTTL-compatible inputs and outputs
? Single +3.3V ±0.3V power supply
? Supports CAS latency of 1, 2, and 3
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
托盤
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
DRAM
- 技術(shù)：
SDRAM
- 存儲(chǔ)容量：
256Mb（8M x 32）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁：
14ns
- 電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
86-TFSOP（0.400"，10.16mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
86-TSOP II
- 描述：
IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT |
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