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MT3S20P(TE12L,F)_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-射頻-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號：MT3S20P(TE12L,F)品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI

MT3S20P(TE12L,F)是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-243AA的MT3S20P(TE12L,F)晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    mt3s20p(te12l,f)

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 資料說明：

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MT3S20P(TE12L,F)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.45dB @ 1GHz

  • 增益：

    16.5dB

  • 功率 - 最大值：

    1.8W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 50mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    80mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PW-MINI

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI

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