MT3S111TU分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MT3S111TU |
參數(shù)屬性 | MT3S111TU 封裝/外殼為3-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N |
功能描述 | VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Application |
封裝外殼 | 3-SMD,扁平引線 |
文件大小 |
162.64 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-23 23:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MT3S111TU,LF
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
6V
- 頻率 - 躍遷:
10GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
- 增益:
12.5dB
- 功率 - 最大值:
800mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 30mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
3-SMD,扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
UFM
- 描述:
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SK/森浦科 |
23+ |
NA/ |
3000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
2020+ |
SOT-23 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
SOT-323 |
100586 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費! |
詢價 | ||
TOSHIBA |
893993 |
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | ||||
TOSH |
16+ |
NA |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
SOT-23 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
SK |
22+ |
SOT-323 |
9000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
NA |
8560 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
SOT323 |
240 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
24+ |
UFM |
28500 |
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售 |
詢價 |