MT3S111TU 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 TOSHIBA/東芝

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  • 廠家型號(hào):

    MT3S111TU

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    TOSHIBA/東芝

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    80000

  • 產(chǎn)品封裝:

    SOT323

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    2022

  • 庫(kù)存類型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2025-1-23 9:10:00

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原廠料號(hào):MT3S111TU品牌:TOSHIBA/東芝

原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢

  • 芯片型號(hào):

    MT3S111TU

  • 規(guī)格書(shū):

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱:

    株式會(huì)社東芝

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    73 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1582.74 kb

  • 資料說(shuō)明:

    Bipolar Small-Signal Transistors

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MT3S111TU,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    6V

  • 頻率 - 躍遷:

    10GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz

  • 增益:

    12.5dB

  • 功率 - 最大值:

    800mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 30mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    UFM

  • 描述:

    RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳廊盛科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    李小姐

  • 手機(jī):

    18229386512

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    18229386512

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道上步工業(yè)區(qū)501棟410室