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MT3S111TU,LF_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-射頻-Toshiba Semiconductor and Storage

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
3000+
  • 廠家型號：

    MT3S111TU,LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 庫存數(shù)量：

    1790

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-射頻

  • 封裝外殼：

    3-SMD，扁平引線

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-27 11:06:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：MT3S111TU,LF品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

MT3S111TU,LF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝3-SMD，扁平引線的MT3S111TU,LF晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    mt3s111tu,lf

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MT3S111TU,LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    6V

  • 頻率 - 躍遷：

    10GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz

  • 增益：

    12.5dB

  • 功率 - 最大值：

    800mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 30mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    UFM

  • 描述：

    RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
24+
N/A
52000
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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Toshiba Semiconductor and Stor
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3-SMD 扁平引線
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TOSHIBA
23+
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10000
SOT323
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880000
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TOSHIBA/東芝
22+
SOT-323
50000
原裝正品.假一罰十
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23+
SOT-323
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)

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