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MSU1N60	文件：432.11 Kbytes Page：4 Pages	600V N-Channel MOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTA1N60E	文件：854.58 Kbytes Page：13 Pages	FULLYISOLATEDTMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD1N60E	文件：266.59 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERE600VOLTSRDS(on)=8.0OHM TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.InadditionthisadvancedTMOSE	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD1N60E	文件：346.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP1N60	文件：175.09 Kbytes Page：5 Pages	PowerFieldEffectTransisterN-ChannelEnhancementModeSiliconGate PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisTMOSPowerFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. ?SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTimesSpecif	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP1N60	文件：116.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor ?DESCRITION ?Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. ?FEATURES ?DrainCurrent-ID=1A@TC=25°C ?DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=8Ω(Max) ?AvalancheEnergySpecified ?FastSwitching ?SimpleDriveRequirements	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP1N60	文件：301.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP1N60E	文件：232.59 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=8.0OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP1N60E	文件：121.42 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDDL1N60Z	文件：113.29 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDTL1N60Z	文件：113.29 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NFT1N60	文件：1.553 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
NJ1N60	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ1N60A-LI	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
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NJ1N60D-LI	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
NJ1N60D-TR	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
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NJ1N60-TB	文件：587.15 Kbytes Page：6 Pages	1.2A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
PHD1N60E	文件：1.08597 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MSU2031		24+	PLCC	5		詢價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	MSU2031		22+	PLCC	2700	全新原裝自家現(xiàn)貨優(yōu)勢(shì)!	詢價(jià)
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更多MSU1N60供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 15:30:00

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