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MS508	文件：96.13 Kbytes Page：2 Pages	5 Amp Schottky Rectifier 5AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●Lowpowerloss,highefficiency ●HighsurgeCapability ●VRRM80to100Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MS508	文件：137.43 Kbytes Page：2 Pages	5.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
MSM508-G-BK	文件：75.1 Kbytes Page：1 Pages	SHORTINGPLUGGOLDPLATED	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亞當(dāng)科技亞當(dāng)科技股份有限公司	ADAM-TECH
MTD508	文件：439.31 Kbytes Page：19 Pages	8-Port10M/100MEthernetSwitch GENERALDESCRIPTION TheMTD508compliesfullywiththeIEEE802.3, 802.3uand802.3xspecificationsandisanonblocking 8-port10M/100MEthernetswitchdevice. TheMTD508supports8RMIIportsfor10M/100M operations.1MBytes/2MBytesmemoryinterface providesmaximum1365packetbuffersfor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類(lèi)制造商	ETC
MUX508	文件：1.36426 Mbytes Page：41 Pages	Low-Capacitance,Low-Charge-Injection,Precision,AnalogMultiplexers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
MUX508	文件：1.2543 Mbytes Page：37 Pages	Low-Capacitance,Low-Charge-Injection,Precision,AnalogMultiplexers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
MUX508ID	文件：1.36426 Mbytes Page：41 Pages	Low-Capacitance,Low-Charge-Injection,Precision,AnalogMultiplexers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
MUX508IDR	文件：1.36426 Mbytes Page：41 Pages	Low-Capacitance,Low-Charge-Injection,Precision,AnalogMultiplexers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
MUX508IPW	文件：1.2543 Mbytes Page：37 Pages	Low-Capacitance,Low-Charge-Injection,Precision,AnalogMultiplexers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
MUX508IPW	文件：1.36426 Mbytes Page：41 Pages	Low-Capacitance,Low-Charge-Injection,Precision,AnalogMultiplexers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
MUX508IPWR	文件：1.2543 Mbytes Page：37 Pages	Low-Capacitance,Low-Charge-Injection,Precision,AnalogMultiplexers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
MUX508IPWR	文件：1.36426 Mbytes Page：41 Pages	Low-Capacitance,Low-Charge-Injection,Precision,AnalogMultiplexers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
NCP508	文件：2.36105 Mbytes Page：15 Pages	VeryLowNoise,FastTurnOn,50mALowDropoutVoltageRegulator	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDB508A	文件：73.44 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDB508A	文件：306.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.08Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDB508AE	文件：73.44 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDB508AE	文件：306.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.08Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDB508B	文件：73.44 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDB508B	文件：305.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDB508BE	文件：73.44 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MS508
制造商：
MICROSEMI
制造商全稱(chēng)：
Microsemi Corporation
功能描述：
5 Amp Schottky Rectifier

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	MS50N02		24+	N/A	74000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢(xún)價(jià)
深圳市弘揚(yáng)芯城科技有限公司	MS50N06	MSKSEMI(美森科)	23+	TO252	6000	誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤(pán)	詢(xún)價(jià)
上海金慶電子技術(shù)有限公司	MS50PM-124	BURNDY	新		8	全新原裝貨期兩周	詢(xún)價(jià)
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深圳市粵駿騰電子科技有限公司	MS50SF3	國(guó)產(chǎn)	24+		2	大批量供應(yīng)優(yōu)勢(shì)庫(kù)存熱賣(mài)	詢(xún)價(jià)
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深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	MS50SFA1C	MINEW(云里物里)	21+	15.8x12x2mm	6000	中國(guó)航天工業(yè)部戰(zhàn)略合作伙伴行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者	詢(xún)價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	MS50SSD1602FT52	MIK	23+	NA	10000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢(xún)價(jià)
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更多MS508供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 11:06:00

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