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MS2473分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MS2473
廠商型號

MS2473
參數(shù)屬性

MS2473 封裝/外殼為M112；包裝為托盤；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產品描述：RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M112
功能描述

high power COMMON BASE bipolar transistor.
RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M112
封裝外殼

M112
文件大小

110.2 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi【美高森美】

中文名稱

美高森美公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-13 18:26:00

MS2473規(guī)格書詳情

MS2473屬于分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由美高森美公司制造生產的MS2473晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

GENERAL DESCRIPTION

The MS2473 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the 1090MHz frequency band. The device has gold thin-film metallization for proven highest MTTF. Low thermal resistance packaging reduces the junction temperature and extends device lifetime.

產品屬性

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  • 產品編號：

    MS2473

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    65V

  • 頻率 - 躍遷：

    1.09GHz

  • 增益：

    6dB

  • 功率 - 最大值：

    2300W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    5 @ 1A，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    46A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    M112

  • 供應商器件封裝：

    M112

  • 描述：

    RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M112

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