MS2213分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MS2213 |
參數(shù)屬性 | MS2213 封裝/外殼為M214;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M214 |
功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS SPECIALITY AVIONICS/JTIDS APPLICATIONS |
文件大小 |
152.31 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
3 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-30 23:00:00 |
MS2213規(guī)格書詳情
MS2213屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的MS2213晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
DESCRIPTION:
The MS2213 device is a high power Class C transistor specifically designed for JTIDS pulsed output and driver applications.
The device is capable of operation over a wide range of pulse widths, duty cycles and temperatures and is capable of withstanding 15:1 output VSWR at rated RF conditions.
Low RF thermal resistance and computerized automatic wire bonding techniques ensure high reliability and product consistency.
The MS2213 is supplied in the hermetic metal/ceramic package with internal input matching structures.
Features
? REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
? EMITTER SITE BALLASTED
? 15:1 VSWR CAPABILITY
? LOW RF THERMAL RESISTANCE
? INPUT/OUTPUT MATCHING
? OVERLAY GEOMETRY
? METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
? POUT = 30 W MIN. WITH 7.8 dB Gain
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
MS2213
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
55V
- 頻率 - 躍遷:
960MHz ~ 1.215GHz
- 增益:
7.8dB
- 功率 - 最大值:
75W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
15 @ 1A,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
3.5A
- 工作溫度:
250°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
M214
- 供應(yīng)商器件封裝:
M214
- 描述:
RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M214
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CADDOCK |
23+ |
NA/ |
1750 |
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NOVA |
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