MS2204分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MS2204 |
| 參數(shù)屬性 | MS2204 封裝/外殼為M115；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 20V 1.09GHZ M115 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS |
| 文件大小 |
234.62 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
ADPOW |
| 中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-30 23:00:00 |
MS2204規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The MS2204 is a common emitter, silicon NPN, microwave transistor designed for Class A driver applications under DME or IFF pulse conditions. This device is capable of withstanding an infinite load VSWR at any phase angle under rated conditions.
Features
● 1090 MHz
● 18 VOLTS
● POUT = 0.6 WATTS
● GP = 10.8 dB MINIMUM
● CLASS A OPERATION
● INFINITE VSWR CAPABILITY @ RATED CONDITIONS
● COMMON EMITTER CONFIGURATION
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MS2204
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
20V
- 頻率 - 躍遷：
1.09GHz
- 增益：
10.8dB
- 功率 - 最大值：
600mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 100mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
300mA
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
M115
- 供應(yīng)商器件封裝：
M115
- 描述：
RF TRANS NPN 20V 1.09GHZ M115
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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