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MRF9080LR3分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF9080LR3
廠商型號

MRF9080LR3

參數(shù)屬性

MRF9080LR3 封裝/外殼為SOT-957A;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 960MHZ NI-780

功能描述

RF Power Field Effect Transistors(N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs)

封裝外殼

SOT-957A

文件大小

316.12 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-21 20:00:00

MRF9080LR3規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistors

N?Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFETs

Designed for GSM 900 MHz frequency band, the high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large?signal, common? source amplifier applications in 26 volt base station equipment.

? Typical Performance for GSM Frequencies, 921 to 960 MHz, 26 Volts

Output Power @ P1db: 75 Watts

Power Gain @ P1db: 18.5 dB

Efficiency @ P1db: 55

? Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 921 MHz, 90 Watts CW

Output Power

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large?Signal Impedance Parameters

? Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates

40μ″ Nominal.

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF9080LR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    18.5dB

  • 功率 - 輸出:

    70W

  • 封裝/外殼:

    SOT-957A

  • 供應商器件封裝:

    NI-780H-2L

  • 描述:

    FET RF 65V 960MHZ NI-780

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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