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MRF8S9202N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF8S9202N
廠商型號(hào)

MRF8S9202N

參數(shù)屬性

MRF8S9202N 封裝/外殼為OM-780-2;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 70V 920MHZ OM780-2

功能描述

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

OM-780-2

文件大小

652.62 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-18 22:30:00

MRF8S9202N規(guī)格書詳情

920--960 MHz, 58 W AVG., 28 V SINGLE W--CDMA LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFET

Designed for CDMA base station applications with frequencies from 920 to 960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.

? Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1300 mA, Pout = 58 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Features

? 100 PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability

? Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters and Common Source S--Parameters

? Internally Matched for Ease of Use

? Integrated ESD Protection

? Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation

? Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems

? Optimized for Doherty Applications

? 225°C Capable Plastic Package

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 32 mm Tape Width, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF8S9202NR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    920MHz

  • 增益:

    19dB

  • 功率 - 輸出:

    58W

  • 封裝/外殼:

    OM-780-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    OM-780-2

  • 描述:

    FET RF 70V 920MHZ OM780-2

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