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MRF8S19260HSR6

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAandmulticarrierbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. ?TypicalSingle-Carrie

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多MRF8S19260HSR6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-28 13:57:00

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