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MRF8P29300HR6

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF8P29300HR6

RF Power Field Effect Transistors

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF8P29300HR6

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:NI-1230 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF8P29300HR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    2.9GHz

  • 增益:

    13.3dB

  • 功率 - 輸出:

    320W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230

  • 描述:

    FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NXP USA Inc.
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NI-1230
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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更多MRF8P29300HR6供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-28 16:17:00