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MRF8372GR1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-射頻-美高森美

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原廠料號(hào)：MRF8372GR1品牌：Microsemi Corporation

資料說(shuō)明：RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

MRF8372GR1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商MICROSEMI/美高森美生產(chǎn)封裝8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）的MRF8372GR1晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號(hào)：

    mrf8372gr1

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 資料說(shuō)明：

    RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRF8372GR1

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    16V

  • 頻率 - 躍遷：

    870MHz

  • 增益：

    8dB ~ 9.5dB

  • 功率 - 最大值：

    2.2W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 50mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    200mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SO

  • 描述：

    RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Microsemi Corporation
2022+
8-SO
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