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MRF6VP11KHR6

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

1.8--150MHz,1000W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFETs Designedprimarilyforpulsewidebandapplicationswithfrequenciesupto150MHz.Devicesareunmatchedandaresuitableforuseinindustrial,medicalandscientificapplications. ?TypicalPulsePerformanceat130MHz:V

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6VP11KHR6

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6VP11KHR6

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6VP11KHR6

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6VP11KHR6

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF6VP11KHR6

Package:NI-1230;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF6VP11KHR6_09

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6VP11KHR6_10

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF6VP11KHR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    130MHz

  • 增益:

    26dB

  • 功率 - 輸出:

    1000W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230

  • 描述:

    FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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全新原裝房間現(xiàn)貨 可長(zhǎng)期供貨
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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現(xiàn)貨供應(yīng)
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更多MRF6VP11KHR6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-30 16:03:00