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MRF6S21100NR1

RF Power Field Effect Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S21100NR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S21100NR1

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-270AB 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 68V 2.16GHZ TO270-4

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF6S21100NR1_08

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF6S21100NR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.11GHz ~ 2.16GHz

  • 增益:

    14.5dB

  • 功率 - 輸出:

    23W

  • 封裝/外殼:

    TO-270AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-270 WB-4

  • 描述:

    FET RF 68V 2.16GHZ TO270-4

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Freescale
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更多MRF6S21100NR1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-18 13:30:00