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MRF5S19060NBR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF5S19060NBR1
廠商型號(hào)

MRF5S19060NBR1

參數(shù)屬性

MRF5S19060NBR1 封裝/外殼為TO-272BB;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

TO-272BB

文件大小

495.24 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-15 22:30:00

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MRF5S19060NBR1規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large- signal, commonsource amplifier applications in 28 Volt base station equipment.

? Typical 2-carrier N-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 750 mA,

Pout = 12 Watts Avg., 1990 MHz, IS-95 (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes

8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB @ 0.01

Probability on CCDF.

Power Gain — 14 dB

Drain Efficiency — 23

IM3 @ 2.5 MHz Offset — -37 dBc in 1.2288 MHz Channel Bandwidth

ACPR @ 885 kHz Offset — -51 dBc in 30 kHz Channel Bandwidth

? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1960 MHz, 12 Watts CW Output Power

Features

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Internally Matched for Ease of Use

? Integrated ESD Protection

? 200°C Capable Plastic Package

? N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.

? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF5S19060NBR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.99GHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 輸出:

    12W

  • 封裝/外殼:

    TO-272BB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-272 WB-4

  • 描述:

    FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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