MRF426分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MRF426 |
參數(shù)屬性 | MRF426 封裝/外殼為211-07;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:TRANS RF NPN 35V 3A 211-07 |
功能描述 | The RF Line NPN Silicon Power Transistor 25W(PEP), 30MHz, 28V |
文件大小 |
273.24 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | M/A-COM Technology Solutions, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
MA-COM |
中文名稱 | M/A-COM Technology Solutions, Inc.官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-27 16:20:00 |
MRF426規(guī)格書詳情
Designed for high gain driver and output linear amplifier stages in 1.5 to 30 MHz HF/SSB equipment.
? Specified 28 V, 30 MHz characteristics —
Output power = 25 W (PEP)
Minimum gain = 22 dB
Efficiency = 35
? Intermodulation distortion @ 25 W (PEP) —IMD = –30 dB (max)
? 100 tested for load mismatch at all phase angles with 30:1 VSWR
? Class A and AB characterization
? BLX 13 equivalent
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MRF426
- 制造商:
MACOM Technology Solutions
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
35V
- 增益:
25dB
- 功率 - 最大值:
25W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 1A,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
3A
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
211-07
- 供應商器件封裝:
211-07,STYLE 1
- 描述:
TRANS RF NPN 35V 3A 211-07
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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