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MRF282ZR1中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF282ZR1
廠商型號

MRF282ZR1

參數(shù)屬性

MRF282ZR1 封裝/外殼為NI-200Z;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2GHZ NI-200Z

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

文件大小

299.22 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-15 19:57:00

MRF282ZR1規(guī)格書詳情

Designed for Class A and Class AB PCN and PCS base station applications with frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications.

? Specified Two-Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts

Output Power ó 10 Watts PEP

Power Gain ó 10.5 dB

Efficiency ó 28

Intermodulation Distortion ó -31 dBc

? Specified Single-Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts

Output Power ó 10 Watts CW

Power Gain ó 9.5 dB

Efficiency ó 35

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 10 Watts CW Output Power

Features

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? RoHS Compliant

? Available in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF282ZR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    NI-200Z

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-200Z

  • 描述:

    FET RF 65V 2GHZ NI-200Z

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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