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MRF21045

RF Power Field Effect Transistors

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularra

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF21045

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF21045LR3

RF Power Field Effect Transistors

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularra

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF21045LR3

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF21045LSR3

RF Power Field Effect Transistors

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularra

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF21045LSR3

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF21045LR3

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF21045LR3_08

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF21045LSR3

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF21045LR5

Package：NI-400；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-400

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF21045LSR3

Package：NI-400S；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF21045LSR5

Package：NI-400S；包裝：散裝 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MRF21045

  • 功能描述：

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-400

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 標準包裝：

    3,000

  • 晶體管類型：

    N 通道 JFET

  • 頻率：

    -

  • 增益：

    - 電壓 -

  • 測試：

    -

  • 額定電流：

    30mA

  • 噪音數(shù)據(jù)：

    - 電流 -

  • 測試：

    - 功率 -

  • 輸出：

    - 電壓 -

  • 額定：

    25V

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商設備封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包裝：

    帶卷(TR)

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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更多MRF21045供應商 更新時間2025-1-20 10:00:00

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