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MRF1518NT1

RF Power Field Effect Transistor

RFPowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesto520MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge-signal,commonsourceamplifierapplicationsin12.

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF1518NT1

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF1518NT1

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF1518NT1

包裝:托盤 封裝/外殼:PLD-1.5 類別:分立半導體產品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF1518NT1_06

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF1518NT1_08

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

產品屬性

  • 產品編號:

    MRF1518NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    520MHz

  • 增益:

    13dB

  • 額定電流(安培):

    4A

  • 功率 - 輸出:

    8W

  • 封裝/外殼:

    PLD-1.5

  • 供應商器件封裝:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5

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更多MRF1518NT1供應商 更新時間2025-1-6 15:00:00