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MRF1513NT1

RF Power Field Effect Transistor N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFET

RFPowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesto520MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge-signal,commonsourceamplifierapplicationsin7.5

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF1513NT1

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF1513NT1

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF1513NT1

Package：PLD-1.5；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF1513NT1_08

RF Power Field Effect Transistor

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飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF1513NT1_0806

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRF1513NT1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    520MHz

  • 增益：

    15dB

  • 額定電流（安培）：

    2A

  • 功率 - 輸出：

    3W

  • 封裝/外殼：

    PLD-1.5

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PLD-1.5

  • 描述：

    FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
freescale
PLD1.5
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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更多MRF1513NT1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-29 14:00:00

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