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MPSW06_Q

MPSW06_Q

MPSW06_Q

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MPSW06_Q

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MPSW06_Q供應商 更新時間2025-2-18 16:41:00

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