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MPS6519中文資料MICRO-ELECTRONICS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MPS6519
廠商型號

MPS6519

功能描述

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

文件大小

173 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Micro Electronics
企業(yè)簡稱

MICRO-ELECTRONICS

中文名稱

Micro Electronics官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-1 23:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    MPS6519

  • 別名:

    MPS6519三極管、MPS6519晶體管、MPS6519晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    通用型 (Uni)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    40V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    0.31W

  • 放大倍數(shù):

    β=250-500

  • 圖片代號:

    A-31

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.31

MPS6519規(guī)格書詳情

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

MPS6516 thru MPS6519 are PNP siliocn planar epitaxial transistors designed for general purpose amplifier applications and for complementary circuitry.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MPS6519

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

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