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MMUN2130LT1分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

MMUN2130LT1
廠商型號

MMUN2130LT1

參數屬性

MMUN2130LT1 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產品描述:TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

功能描述

PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

188.18 Kbytes

頁面數量

12

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-16 18:36:00

MMUN2130LT1規(guī)格書詳情

MMUN2130LT1屬于分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置。由安森美半導體公司制造生產的MMUN2130LT1晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置預偏置雙極晶體管具有內部電阻器,設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數量,從而可降低項目成本。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    MMUN2130LT1

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    3 @ 5mA,10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 5mA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
21+
NA
3000
進口原裝 假一罰十 現貨
詢價
ON
04+
SOT23
6000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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onsemi(安森美)
23+
SOT23
6000
誠信服務,絕對原裝原盤
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ON/安森美
23+
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2324+
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ON
22+
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ON/安森美
24+
SOT23
880000
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23+
SOT23
5500
原廠原裝正品
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TI
2022+
SOIC16
6000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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