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MMPQ2907A	文件：62.56 Kbytes Page：5 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasageneralpurposeamplifierandswitchrequiring collectorcurrentsto500mA.SourcedfromProcess63.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMPQ2907A	文件：90.05 Kbytes Page：7 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMPQ2907A	文件：141.32 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONQUADTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMMPQ2907A,consistingoffourtransistorsandavailableintheSOIC-16surfacemountpackage,isdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
MMST2907	文件：79.55 Kbytes Page：4 Pages	PNPMediumPowerTransistor(Switching) Features 1)BVCEO	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
MMST2907	文件：54.56 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?BVCEO>-60V ?IC=-600mACollectorCurrent ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?ComplementaryNPNType:MMST2222A ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qualif	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST2907	文件：202.28 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
MMST2907A	文件：79.55 Kbytes Page：4 Pages	PNPMediumPowerTransistor(Switching) Features 1)BVCEO	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
MMST2907A	文件：85.83 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST2907A	文件：615.33 Kbytes Page：2 Pages	SOT-323BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMST2907A	文件：84.57 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?Powerdissipation:200mW(Tamb=25°C) ?Collectorcurrent:-0.6A ?MarkingCode:K3F ?OperatingandStoragejunctiontemperaturerange -55°Cto+150°C ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCo	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMST2907A	文件：193.25 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMST2907A	文件：117.1 Kbytes Page：5 Pages	PNPMediumPowerTransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
MMST2907A	文件：54.56 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?BVCEO>-60V ?IC=-600mACollectorCurrent ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?ComplementaryNPNType:MMST2222A ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qualif	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST2907A	文件：133.27 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Powerdissipation.(PC=200mW) ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeMMST2222A. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
MMST2907A	文件：137.66 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST2907A	文件：234.71 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMST2907A	文件：202.28 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ComplementaryPNPTypeavailable(MMST2222A)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
MMST2907A	文件：430.95 Kbytes Page：6 Pages	60VPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST2907A	文件：94.6 Kbytes Page：5 Pages	PNPMediumPowerTransistor(Switching) Features 1)BVCEO	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
MMST2907A	文件：131.51 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN

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詳細參數(shù)

型號：
MMPQ2907_Q
功能描述：
兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市聯(lián)世界科技有限公司（原深創(chuàng)輝科技）	MMPQ2907A	FAIR	2001		2500	原裝正品長期供貨，如假包賠包換徐小姐13714450367	詢價
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更多MMPQ2907_Q供應(yīng)商更新時間2024-11-16 14:30:00

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