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MMIX4B12N300

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ?SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate ?IsolatedMountingSurface ?4000V~ElectricalIsolation ?HighBlockingVoltage ?HighPeakCurrentCapability ?LowSaturationVoltage Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications ?Switch-Mode

IXYS

IXYS Corporation

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更多MMIX4B12N300供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-17 11:00:00

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