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MMIX1Y82N120C3H1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-IXYS

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原廠料號：MMIX1Y82N120C3H1品牌：IXYS

資料說明：DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD

MMIX1Y82N120C3H1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝24-PowerSMD，21 引線的MMIX1Y82N120C3H1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    mmix1y82n120c3h1

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 資料說明：

    DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MMIX1Y82N120C3H1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.4V @ 15V，82A

  • 開關(guān)能量：

    4.95mJ（開），2.78mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    29ns/192ns

  • 測試條件：

    600V，80A，2 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    24-PowerSMD，21 引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    24-SMPD

  • 描述：

    DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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