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MMG3009NT1

Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)

HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3009NT1isaGeneralPurposeAmplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitablefor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MMG3009NT1

Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)

0--6000MHz,15dB18dBmInGaPHBTGPA TheMMG3009NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MMG3009NT1

Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MMG3009NT1

包裝：散裝 封裝/外殼：TO-243AA 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC AMP CELLULAR 0HZ-6GHZ SOT89-4

nxpNXP Semiconductors

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MMG3009NT1_08

Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMG3009NT1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝：

    散裝

  • 頻率：

    0Hz ~ 6GHz

  • P1dB：

    18dBm

  • 增益：

    15dB

  • 噪聲系數(shù)：

    4.2dB

  • 射頻類型：

    手機，PCS，PHS，WLL

  • 電壓 - 供電：

    5V

  • 電流 - 供電：

    70mA

  • 測試頻率：

    900MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-89-4

  • 描述：

    IC AMP CELLULAR 0HZ-6GHZ SOT89-4

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MMG3009NT1供應(yīng)商 更新時間2024-10-25 16:55:00

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