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MMF65R600Q

650V 0.60ohm N-channel MOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMF65R600QTH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MMF65R600QTH

650V 0.60ohm N-channel MOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

TPA65R600C

650VSuper-JunctionPowerMOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光微無錫紫光微電子有限公司

TPA65R600C

650VSuper-JunctionPowerMOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光微無錫紫光微電子有限公司

TPB65R600C

650VSuper-JunctionPowerMOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光微無錫紫光微電子有限公司

TPB65R600C

650VSuper-JunctionPowerMOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光微無錫紫光微電子有限公司

TPC65R600C

650VSuper-JunctionPowerMOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光微無錫紫光微電子有限公司

TPC65R600C

650VSuper-JunctionPowerMOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光微無錫紫光微電子有限公司

TPD65R600C

650VSuper-JunctionPowerMOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光微無錫紫光微電子有限公司

TPD65R600C

650VSuper-JunctionPowerMOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光微無錫紫光微電子有限公司

TPP65R600C

650VSuper-JunctionPowerMOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光微無錫紫光微電子有限公司

TPP65R600C

650VSuper-JunctionPowerMOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光微無錫紫光微電子有限公司

TPU65R600C

650VSuper-JunctionPowerMOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光微無錫紫光微電子有限公司

TPU65R600C

650VSuper-JunctionPowerMOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光微無錫紫光微電子有限公司

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更多MMF65R600Q供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-17 11:10:00