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MMDT5551-TP

Plastic-Encapsulate Transistors

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Capableof200mWattsofPowerDissipation ?Idealf

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MMST5551

NPNSmallSignalTransistors

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?Powerdissipation:200mW(Tamb=25°C) ?Collectorcurrent:0.2A ?Marking:K4N ?OperatingandStoragejunctiontemperaturerange -55°Cto+150°C ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSComplia

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MMST5551

NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?ComplementaryNPNType:MMST5401 ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Quali

DIODES

Diodes Incorporated

MMST5551

NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(MMST5401) ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ?GreenDevice(Note3and4)

DIODES

Diodes Incorporated

MMST5551

SOT-323BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN)

RECTRON

Rectron Semiconductor

MMST5551

NPNGeneralPurposeTransistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMST5401). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

MMST5551

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

MMST5551

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES ●ComplementarytoMMST5401 ●SmallSurfaceMountPackage ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

MMST5551

NPNSmallSignalTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MMST5551

NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MMDT5551-TP

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 200mA 160V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MMDT5551-TP供應(yīng)商 更新時間2025-3-10 18:07:00

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