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MMD60R580PBRH中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MMD60R580PBRH
廠商型號(hào)

MMD60R580PBRH

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

353.2 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-17 17:30:00

MMD60R580PBRH規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 600V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 0.58Ω(Max) @VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
MAGNACHIP/美格納
14+
TO-252
4183
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MAGNACHIP/美格納
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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全新原裝正品現(xiàn)貨,優(yōu)勢渠道可含稅,假一賠十
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MAGNACHIP/美格納
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TO-252
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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MAGNACHIP/美格納
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TO-252
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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MAGNACHIP/美格納
2021+
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