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MMDT3904	文件：121.09 Kbytes Page：4 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT3904	文件：198.4 Kbytes Page：2 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?ULTRA-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMDT3904	文件：60.29 Kbytes Page：3 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ?GreenDevice(Note3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT3904	文件：207.02 Kbytes Page：4 Pages	DUALSURFACEMOUNTNPNTRANSISTORS Thisdevicecontainstwoelectrically-isolated2N3904NPNtransistors.ThetwotransistorshavewellmatchedhFEandareencapsulatedinanultrasmallSOT-363(SC70-6L)package.Thisdeviceisidealforportableapplicationswhereboardspaceisatapremium. FEATURES ?ElectricallyIsola	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
MMDT3904	文件：186.45 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. ●Ultra-smallsurfacemountpackage ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
MMDT3904	文件：299.06 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMDT3904	文件：113.23 Kbytes Page：2 Pages	200mWPlastic-EncapsulateTransistors Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?Collector-Current:IC=0.2A ?Epitaxialplanardieconstruction ?Idealforlowpoweramplificationandswitching ?Marking:K6N ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?Moisur	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
MMDT3904	文件：202.09 Kbytes Page：4 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT3904	文件：1.28707 Mbytes Page：4 Pages	DualNPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features Epitaxialplanardieconstruction ComplimentarytoTPMMDT3906C6 Ultra-smallsurfacemountpackage	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMDT3904	文件：165.22 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
MMDT3904	文件：1.65791 Mbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(NPNNPN) DUALTRANSISTOR(NPN+NPN) FEATURES ?Epitaxialplanardieconstruction ?Idealforlowpoweramplificationandswitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
MMDT3904	文件：351.19 Kbytes Page：6 Pages	40VDUALNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT3904	文件：138.37 Kbytes Page：3 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMDT3904isadualNPNsmallsignalsurfacemounttransistor. FEATURES SuitableforLowPowerAmplificationandSwitching EpitaxialPlanarDieConstruction *Extremely-SmallSurfaceMountPackage	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MMDT3904	文件：247.29 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors200mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
MMDT3904	文件：1.31274 Mbytes Page：5 Pages	NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒濟南晶恒電子有限責任公司	JINGHENG
MMDT3904	文件：242.12 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ?Epitaxialplanardieconstruction ?Idealforlowpoweramplificationandswitching	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
MMDT3904	文件：712.62 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ?Epitaxialplanardieconstruction. ?Idealforlowpoweramplificationandswitching. ?Ultra-smallsurfacemountpackage ?Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ?Generalswitchingandamplification	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
MMDT3904	文件：263.79 Kbytes Page：5 Pages	DUALTRANSISTOR(NPNNPN)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMDT3904	文件：2.23561 Mbytes Page：6 Pages	NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors Features Epitaxialplanardieconstruction Idealforlowpoweramplificationandswitching	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMDT3904DW	文件：999.1 Kbytes Page：5 Pages	lastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction Idealforlowpoweramplificationandswitching	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI

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晶體管資料

型號：
MMCM3904
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
性質：
射頻/高頻放大（HF）_通用（G）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
0.2A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
最大耗散功率：
0.2W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
G-9
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.2
wtest：
0.2

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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