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MMBT918LT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 NSC/美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào)：

    MMBT918LT1G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NA

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    84782

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    19+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-1 11:08:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：MMBT918LT1G品牌：NA

原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；

  • 芯片型號(hào)：

    MMBT918LT1G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    3 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    48.94 kb

  • 資料說(shuō)明：

    VHF/UHF Transistor NPN Silicon

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MMBT918LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    15V

  • 頻率 - 躍遷：

    600MHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    6dB @ 60MHz

  • 增益：

    11dB

  • 功率 - 最大值：

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 3mA，1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    Alan

  • 手機(jī)：

    13316570454

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13316570454

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)荔村社區(qū)2008號(hào)華聯(lián)發(fā)綜合樓811

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