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MMBT6520分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MMBT6520
廠商型號

MMBT6520

參數(shù)屬性

MMBT6520 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3

功能描述

High Voltage Transistor(PNP Silicon)

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

167.1 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Leshan Radio Company
企業(yè)簡稱

LRC樂山無線電

中文名稱

樂山無線電股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-11 18:18:00

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晶體管資料

  • 型號:

    MMBT6520

  • 別名:

    MMBT6520三極管、MMBT6520晶體管、MMBT6520晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_通用 (G)

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    350V

  • 最大電流允許值:

    0.5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    NO

  • vtest:

    350

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.5

  • wtest:

    0.3

MMBT6520規(guī)格書詳情

High Voltage Transistor

PNP Silicon

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MMBT6520LT3

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 50mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
24+
SMD
12000
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