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MMBT5401LT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MMBT5401LT1
廠商型號(hào)

MMBT5401LT1

參數(shù)屬性

MMBT5401LT1 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3

功能描述

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

40.92 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Tiger Electronic Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TGS

中文名稱

Tiger Electronic Co.,Ltd官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-2 16:20:00

MMBT5401LT1規(guī)格書(shū)詳情

Description

The MMBT5401LT1 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages.

Features

? High Collector-Emitter Breakdown Voltage. BVCEO=150V(@ IC=1mA)

? Complements to NPN Type MMBT5551LT1.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMBT5401LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 10mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    300MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
01+
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全新原裝!優(yōu)勢(shì)庫(kù)存熱賣中!
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