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MMBT3906-G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MMBT3906-G
廠商型號

MMBT3906-G

參數(shù)屬性

MMBT3906-G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

功能描述

GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

120 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Comchip Technology
企業(yè)簡稱

COMCHIP典琦

中文名稱

典琦科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-19 22:30:00

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MMBT3906-G規(guī)格書詳情

MMBT3906-G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由典琦科技股份有限公司制造生產(chǎn)的MMBT3906-G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術。

Features

-Epitaxial planar die construction

-As complementary type, the NPN transistor MMBT3904-G is recommended

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MMBT3906-G

  • 制造商:

    Comchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    400mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    300MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

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