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MMBT2369A

NPN Switching Transistor

NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

MMBT2369A

NPN Switching Transistor

NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

MMBT2369A

NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR

VOLTAGE15VoltsPOWER225mWatts FEATURES ?NPNepitaxialsilicon,planardesign ?Collector-emittervoltageVCE=15V ?CollectorcurrentIC=200mA ?IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA ?Case:SOT-23,Plastic ?Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

MMBT2369A

Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors

SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23(TO-236) ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingta

Diotec

Diotec Semiconductor

MMBT2369A

NPN General Purpose Amplifier

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMBT2369A

NPN Silicon Switching Transistor

NPNSiliconSwitchingTransistor

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導體先之科半導體科技(東莞)有限公司

MMBT2369A

NPN General Purpose Amplifier

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

MMBT2369A

NPN General Purpose Amplifier

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMBT2369A

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MMBT2369AL

Switching Transistors

SwitchingTransistors NPNSilicon Features ?SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant*

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MMBT2369ALT1

Switching Transistors

SwitchingTransistors NPNSilicon

Motorola

Motorola, Inc

MMBT2369ALT1

Switcing Transistors

SwitchingTransistors NPNSilicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MMBT2369ALT1

Switching Transistors(NPN Silicon)

SwitchingTransistor NPNSilicon

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

MMBT2369ALT1G

Switching Transistors

SwitchingTransistors NPNSilicon Features ?SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant*

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MMBT2369A_13

NPN General Purpose Amplifier

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMBT2369ALT1

Switching Transistors NPN Silicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MMBT2369ALT1G

Switching Transistors NPN Silicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MMBT2369ALT1G

Switching Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MMBT2369ALT1

包裝:散裝 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS SS GP NPN 15V SOT23

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MMBT2369ALT1G

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MMBT2369A

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 10mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    400nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,1V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MMBT2369A供應商 更新時間2024-11-7 14:17:00