MMBFJ309分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
MMBFJ309 |
參數(shù)屬性 | MMBFJ309 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23-3 |
功能描述 | N-Channel RF Amplifier |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
561.58 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-15 17:38:00 |
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MMBFJ309規(guī)格書詳情
N-Channel RF Amplifier
This device is designed for VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer applications. As a common gate amplifier, 16 dB at 100 MHz and 12 dB at 450 MHz can be realized. Sourced from Process 92.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MMBFJ309
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
N 通道 JFET
- 頻率:
450MHz
- 增益:
12dB
- 額定電流(安培):
30mA
- 噪聲系數(shù):
3dB
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-23-3
- 描述:
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
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SOT-23(SOT-23-3) |
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