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MMBD352LT1G分立半導體產品的二極管-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBD352LT1G
廠商型號

MMBD352LT1G

參數屬性

MMBD352LT1G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為托盤;類別為分立半導體產品的二極管-射頻;產品描述:DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

功能描述

Dual Hot Carrier Mixer Diodes
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

122.87 Kbytes

頁面數量

3

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-27 23:00:00

MMBD352LT1G規(guī)格書詳情

MMBD352LT1G屬于分立半導體產品的二極管-射頻。由安森美半導體公司制造生產的MMBD352LT1G二極管 - 射頻射頻二極管是一種雙端子半導體器件,只允許一個方向通過電流,而限制反方向的電流。該系列器件用于射頻匹配電路以進行電子調諧。二極管類型包括 PIN 型、肖特基型和標準型,反向電壓范圍為 1 至 15,000 V,電流范圍為 10 mA 至 20A。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    MMBD352LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 二極管 - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 二極管類型:

    肖特基 - 1 對串聯

  • 電壓 - 峰值反向(最大值):

    7V

  • 不同?Vr、F 時電容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

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