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MKI100-12F8分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

MKI100-12F8
廠商型號

MKI100-12F8

參數(shù)屬性

MKI100-12F8 封裝/外殼為E3;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 1200V 125A 640W E3

功能描述

Short Circuit SOA Capability Square RBSOA
IGBT MODULE 1200V 125A 640W E3

文件大小

92.4 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-8 20:38:00

MKI100-12F8規(guī)格書詳情

MKI100-12F8屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。IXYS Corporation制造生產(chǎn)的MKI100-12F8晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MKI100-12F8

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 配置:

    全橋反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.9V @ 15V,100A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    E3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    E3

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 125A 640W E3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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