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MJE3055T分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJE3055T
廠商型號

MJE3055T
參數(shù)屬性

MJE3055T 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 60V 10A TO220
功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

85.06 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導體】

中文名稱

新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 11:25:00
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MJE3055T規(guī)格書詳情

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

...designed for usein general-purpose amplifier and switching applications

FEATURES:

* Power Dissipation - PD = 75 W ? Tc = 25°C

* DC Current Gain hFE = 20- 100 ? lc = 4.0 A

* vCE(isrt) = 1-1 V (Max.) ? lc = 4.0 A, IB= 400 mA

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJE3055T

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    8V @ 3.3A，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    700μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 4A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    2MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 10A TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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