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MJE3055T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJE3055T
廠商型號(hào)

MJE3055T

參數(shù)屬性

MJE3055T 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 60V 10A TO220

功能描述

Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package.

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

939.29 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

FOSHAN藍(lán)箭電子

中文名稱

佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-25 10:13:00

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MJE3055T規(guī)格書詳情

Descriptions

Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package.

Features

Large DC current(IC=10A),high fT(fT≥2Mhz).

Applications

General purpose and switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJE3055T

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    8V @ 3.3A,10A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    700μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    2MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 10A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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