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MJE3055T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJE3055T
廠商型號(hào)

MJE3055T
參數(shù)屬性

MJE3055T 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 60V 10A TO220
功能描述

Complementary Silicon Plastic Power Transistors
TRANS NPN 60V 10A TO220
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

143.95 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-25 10:18:00
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MJE3055T規(guī)格書詳情

MJE3055T屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MJE3055T晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS ?75 WATTS

MJE2955T (PNP)

MJE3055T (NPN)

These devices are designed for use in general?purpose amplifier and switching applications.

Features

? DC Current Gain Specified to 10 A

? High Current Gain ?Bandwidth Product ?fT= 2.0 MHz (Min) @ IC= 500 mAdc

? Pb?Free Packages are Available*

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MJE3055T

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    8V @ 3.3A，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    700μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 4A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    2MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 10A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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