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MJE243分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJE243
廠商型號

MJE243

參數(shù)屬性

MJE243 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 4A TO126

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

102.27 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 10:00:00

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晶體管資料

  • 型號:

    MJE243

  • 別名:

    MJE243三極管、MJE243晶體管、MJE243晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    4A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD243D,BD591,BD601,3DA99C,

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-21

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    15

MJE243規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Collector–Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS) = 100 V(Min)

? DC Current Gain-

: hFE = 40(Min) @ IC= 0.2 A

? Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat) = 0.3V(Max.)@ IC= 0.5 A

? Complement to Type MJE253

APPLICATIONS

? Designed for low power audio amplifier and low-current,

high-speed switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJE243G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    600mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 200mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    40MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 4A TO126

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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