MJE200G 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
MJE200G
產品分類：
芯片
生產廠商：
ON/安森美
庫存數(shù)量：
9800
產品封裝：
TO126
生產批號：
21+
庫存類型：
優(yōu)勢庫存
更新時間：
2025-2-8 17:13:00

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詳細信息
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原廠料號：MJE200G品牌：ON/安森美

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MJE200G是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ON/安森美/onsemi生產封裝TO126/TO-225AA，TO-126-3的MJE200G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

芯片型號：
MJE200G
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數(shù)：
6 頁
文件大?。?/span>
170.29 kb
資料說明：
Complementary Silicon Power Plastic Transistors

產品屬性

類型
描述
產品編號：
MJE200G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.8V @ 1A，5A
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
45 @ 2A，1V
頻率 - 躍遷：
65MHz
工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
供應商器件封裝：
TO-126
描述：
TRANS NPN 40V 5A TO126

供應商

企業(yè)：
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
李小姐/黃先生
手機：
13424246946
詢價：
電話：
0755-82569753
傳真：
0755-83205202
地址：
深圳市福田區(qū)振興路101號華勻1棟5樓B14

MJE200G 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

MJE200G

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