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MJE18004D2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJE18004D2
廠商型號

MJE18004D2
參數(shù)屬性

MJE18004D2 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 450V 5A TO220
功能描述

POWER TRANSISTORS
TRANS NPN 450V 5A TO220
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

466.58 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-10 18:07:00
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MJE18004D2規(guī)格書詳情

MJE18004D2屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MJE18004D2晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術。

The MJE18004D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window.

Main features:

? Low Base Drive Requirement

? High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA

? Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the

H2BIP Structure which Minimizes the Spread

? Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode

? Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat)

? “6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter

Spreads

It’s characteristics make it also suitable for PFC application.

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    MJE18004D2

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    750mV @ 400mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    6 @ 2A，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    13MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN 450V 5A TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
1922+
TO220
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ON/安森美
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TO220
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