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MJD5731分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD5731
廠商型號

MJD5731

參數(shù)屬性

MJD5731 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 350V 1A DPAK

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

331.48 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 19:20:00

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MJD5731規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

V(BR)CEO= -350V(Min)

·Good Linearity of hFE

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·For audio and general purpose applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJD5731T4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 200mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 300mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    10MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PNP 350V 1A DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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