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MJD32C	文件：173.62 Kbytes Page：9 Pages	Low voltage PNP power transistor DESCRIPTION TheMJD31BandMJD31CandtheMJD32BandMJD32CformcomplementaryNPN-PNPpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK)POWERPACKAGEINTAPE&REEL(SUFFIX	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
MJD32C	文件：150.43 Kbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTORS ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“1”Suffix) ?LeadFormedVersi	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD32C	文件：47.86 Kbytes Page：2 Pages	Complementary Power Transistors Features ●LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves ●Pb-FreePackagesareAvailable	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
MJD32C	文件：244.26 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
MJD32C	文件：125.82 Kbytes Page：6 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features ?BVCEO>-100V ?IC=-3AhighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-5APeakPulseCurrent ?IdealforPowerSwitchingorAmplificationApplications ?ComplementaryNPNType:MJD31C ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Gree	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MJD32C	文件：1.20505 Mbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES ●DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications ●LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ●StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) ●LeadFormedVersionin16mmTapeandReel(“T4”Suffix) ●Electrically	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD32C	文件：129.229 Kbytes Page：11 Pages	Complementary Power Transistors ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“1”Suffix) ?LeadFormedVersi	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD32C	文件：765.23 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowSpeed,LoadFormedforSurfaceMountApplication. Applications GeneralPurposeAmplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
MJD32C	文件：590.29 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP epitaxial planer Transistors Features ?DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeed SwitchingApplications ?HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF ?MoistureSensitivityLevel1 ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Comp	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MJD32C	文件：483.64 Kbytes Page：3 Pages	TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ?DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) ?LeadFormedVersionin16mmTapeandReel(“T4”Suffi	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
MJD32C	文件：261.22 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?DCCurrentGain-hFE=25(Min)@IC=-1A ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-100V(Min) ?ComplementtoTypeMJD31C ?DPAKforSurfaceMountApplications ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD32C	文件：358.17 Kbytes Page：1 Pages	Complementary Silicon Power Ttransistors DESCRIPTION Itisintentedforuseinpoweramplif)ierandswitchingapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MJD32C	文件：699.94 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor DESCRIPTION ?DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) ?LeadFormedVersionin16mmTapeandReel(“T4”Suffix) ?Electrica	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MJD32C	文件：230.35 Kbytes Page：11 Pages	Marking:MJD32C;Package:DPAK;100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor 1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:MJD31C 2.Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration ?Elect	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
MJD32C	文件：278.32 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.2V(Max)@IC=-3A ·ComplementtoTypeMJD31C APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD32C	文件：65.36 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION TheMJD31BandMJD31CandtheMJD32BandMJD32CformcomplementaryNPN-PNPpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK)POWERPACKAGEINTAPE&REEL(SUFFIX	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
MJD32C	文件：49.27 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications ?LoadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) ?StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) ?ElectricallySimilartoPopularTIP32andTIP32C	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MJD32C	文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD32C	文件：361.21 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD32C	文件：373.13 Kbytes Page：7 Pages	100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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晶體管資料

型號：
MJD32C
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_功率放大（PA）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
最大電流允許值：
3A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
最大耗散功率：
15W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
G-217
vtest：
0
htest：
999900
atest：
3
wtest：
15

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
MJD32C
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
散裝
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
電流 - 集電極截止（最大值）：
50μA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
描述：
TRANS PNP 100V 3A DPAK

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司	MJD32C	ON	24+	TO-252	8700	絕對原裝現(xiàn)貨,價格低,歡迎詢購!	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	MJD32C	CJ/長電	22+	TO-252	7500	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價
深圳市科翼源電子有限公司	MJD32C	CJ	23+	TO252	12500	原廠原裝正品	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	MJD32C	長晶	24+	252-251	499794	免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價
深圳市中福國際管理有限公司	MJD32C	MCC/美微科	24+	DPAK	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MJD32C	ON/ONSemiconductor/安森	24+	TO-263	7434	新進庫存/原裝	詢價
深圳市益百分電子有限公司	MJD32C	MOT	99+	SOT252/2.5	4300	全新原裝進口自己庫存優(yōu)勢	詢價
深圳市星佑電子有限公司	MJD32C	MOT	05+	原廠原裝	351	只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	MJD32C	ST	23+	TO-252	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	MJD32C	MOT	2020+	TO-252	10000	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價

更多MJD32C供應(yīng)商更新時間2025-1-13 16:59:00

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